11月15日消息，全球最大的存储芯片制造商三星计划进口更多ASML极紫外(EUV)光刻设备。虽然由于合同中的保密条款未能披露具体细节，但据韩国证券市场消息称，该协议将使ASML在五年内提供总共50台设备给三星，而每台单价约为2000亿韩元(约人民币11.16亿元)，总价值可达10万亿韩元(约人民币558亿元)。

目前尚不清楚其合同中的产品是现有EUV光刻设备还是下一代“High NA EUV”光刻设备。不过，目前EUV光刻设备最大的问题是产量有限。据官方介绍，它“比卫星部件还复杂”，每年只能生产很有限的数量。据说去年是40台，今年ASML估计是60台。而目前需要且能购买到EUV光刻设备的厂商有五家：三星电子、台积电、英特尔、SK海力士和美光。其中，台积电约占供应量的70%，剩下四家公司争夺剩下的30%。

三星电子于去年6月推出了全球首个采用全栅极(GAA)技术的3nm代工技术，因此该公司一直在努力确保采购更EUV光刻设备，目标是在明年上半年进入3nm的第二代工艺，在2025年进入2nm工艺，在2027年进入1.4nm工艺。

此外，据三星电子公布的季报显示，三星出售了其在ASML的部分股份，持有的ASML股票从6月底的2,750,072股(持股比例0.7%)减少至9月底的1,580,407股(持股比例0.4%)。股权价值方面，从2.61万亿韩元(约人民币145亿元)下降至1.2562万亿韩元(约人民币69.97亿元)，三星出售的ASML股票金额估计为1.3万亿韩元。

此前，三星电子通过在第二季度出售3,547,715股ASML股票，获得了约3万亿韩元(约人民币167亿元)的资金。仅今年一年，三星通过出售ASML就筹集了4.3万亿韩元(约人民币240亿元)的资金。

三星电子的股份出售被解释为筹集资金用于投资先进半导体等。三星电子通过第三季度业绩发布会宣布，计划将明年的高带宽存储器(HBM)生产能力扩大2.5倍。为此，三星电子计划在韩国天安工厂以HBM生产线为中心进行扩建，并对其升级。

三星电子今年前三个季度投入了36.7万亿韩元(约人民币2044亿元)用于设施投资，其中，33.4万亿韩元(约人民币1860亿元)用于半导体工厂建设、扩建和完善等。根据三星电子的说法，全年设施投资预计将达到约53.7万亿韩元(约人民币2991亿元)，这是年度最大的设施投资规模。按业务划分，半导体部门预计将投资47.5万亿韩元(约人民币2646亿元)，显示部门投资将达到3.1万亿韩元(约人民币172.67亿元)。

此外，三星半导体业务连续亏损，成为公司本年度亏损最为严重的业务单元。前三季度，三星电子处理半导体的设备解决方案(DS)业务累计亏损12.96万亿韩元，折合人民币约714.52亿元。